2026年中國高帶寬內(nèi)存（HBM）行業(yè)政策、產(chǎn)業(yè)鏈、出貨量、收入規(guī)模、競爭格局及發(fā)展趨勢：行業(yè)正處于快速發(fā)展階段，價(jià)值量占比在進(jìn)一步提升[圖]

內(nèi)容概要： 2023年，全球HBM出貨量1.5BGB，HBM產(chǎn)業(yè)收入為43.5億美元；2024年全球HBM出貨量2.8BGB，HBM產(chǎn)業(yè)收入為170億美元；2025年，全球HBM出貨量約4.1BGB，收入金額約307億美元；預(yù)計(jì)2026年，全球HBM出貨量有望達(dá)到5.7BGB，收入金額有望達(dá)到500億美元。

上市企業(yè)：長電科技[600584]、通富微電[002156]、華天科技[002185]、深科技[000021]、晶方科技[603005]、中芯國際[00981]、中芯國際[00981]、兆易創(chuàng)新[03986]、北京君正[300223]、瀾起科技[688008]、聚辰股份[688123]、國科微[300672]、全志科技[300458]、富瀚微[300613]、景嘉微[300474]、寒武紀(jì)-U[688256]、黑芝麻[000716]

相關(guān)企業(yè)：華進(jìn)半導(dǎo)體、長江存儲(chǔ)、地平線、賽騰股份、精智達(dá)、芯源微、華海清科、中微公司、拓荊科技、北方華創(chuàng)、盛美上海、新益昌、聯(lián)瑞新材、華海誠科、雅克科技、強(qiáng)力新材、通富微電、佰維存儲(chǔ)、長電科技、晶方科技

關(guān)鍵詞：高帶寬內(nèi)存（HBM）行業(yè)政策、高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)業(yè)鏈、高帶寬內(nèi)存（HBM）價(jià)值量占比、高帶寬內(nèi)存（HBM）出貨量、高帶寬內(nèi)存（HBM）收入規(guī)模、高帶寬內(nèi)存（HBM）市場競爭格局、高帶寬內(nèi)存（HBM）行業(yè)發(fā)展趨勢

一、高帶寬內(nèi)存（HBM）行業(yè)定義及優(yōu)勢

高帶寬內(nèi)存（HighBandwidthMemory，HBM）是一種基于3D堆棧工藝的高性能半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，具備高帶寬和能效，常被用于高性能計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備等需要高存儲(chǔ)器帶寬的應(yīng)用場合。作為全新一代的CPU/GPU內(nèi)存芯片，HBM本質(zhì)上是基于2.5/3D先進(jìn)封裝技術(shù)，把多塊DRAM堆疊起來后與GPU芯片封裝在一起，實(shí)現(xiàn)大容量、高位寬的DDR組合陣列。

AI的發(fā)展對(duì)數(shù)據(jù)的處理速度、存儲(chǔ)容量、能源效率都提出了更高的要求。HBM相比傳統(tǒng)采用DRAM的方式，具有高帶寬、高容量、低功耗和小尺寸四大優(yōu)勢。其中，HBM最大的特點(diǎn)是高帶寬。HBM的I/O速率雖然慢于傳統(tǒng)GDDR，但其接口有1024個(gè)數(shù)據(jù)“線”，遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)GDDR的32條數(shù)據(jù)線，通過極寬的接口方式實(shí)現(xiàn)了更高的帶寬。

基于技術(shù)節(jié)點(diǎn)、高帶寬內(nèi)存市場被分割為10nm以下、10nm至20nm以下、20nm以上，10nm至20nm節(jié)點(diǎn)市場占2024年市場份額最高，為44.46%。按記憶能力可以分為小于4GB、4GB到8GB、8GB到16GB和16GB以上，16GB以上內(nèi)存類型段占2024年市場份額最高的32%。按市場應(yīng)用可以分為圖形處理單元(GPU)、中央處理單元(CPU)、場可編程門陣列(FPGA)、應(yīng)用程序?qū)Ｓ眉呻娐?ASIC)、人工智能(AI)和機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)、高性能計(jì)算(HPC)、聯(lián)網(wǎng)和數(shù)據(jù)中心等，PU部分占2024年市場份額最高的21.3%。按最終用途可以分為信息技術(shù)和電信、游戲和娛樂(E)、保健和生命科學(xué)、汽車、軍事和國防等，2024年IT和電信部分的市場份額最高，占26.3%。

二、高帶寬內(nèi)存（HBM）行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

高帶寬內(nèi)存（HBM）是一種基于3D堆棧工藝的圖形DDR類型DRAM技術(shù)，通過TSV（硅通孔）和芯片堆疊架構(gòu)實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸與低能耗特性4.1，可滿足AI的高帶寬需求，已逐步成為AI加速卡（GPU、TPU等）的搭載標(biāo)配，價(jià)值量占比最高且仍在進(jìn)一步提升。

高帶寬內(nèi)存（HBM）是AI時(shí)代的必備品，行業(yè)正處于快速發(fā)展階段，人工智能、高性能計(jì)算等領(lǐng)域?qū)BM需求持續(xù)增長。根據(jù)TrendForce，基于三星、海力士和美光的出貨口徑，2023年，全球HBM出貨量1.5BGB，HBM產(chǎn)業(yè)收入為43.5億美元；2024年全球HBM出貨量2.8BGB，HBM產(chǎn)業(yè)收入為170億美元；2025年，全球HBM出貨量約4.1BGB，收入金額約307億美元；預(yù)計(jì)2026年，全球HBM出貨量有望達(dá)到5.7BGB，收入金額有望達(dá)到500億美元。

相關(guān)報(bào)告：智研咨詢發(fā)布的《中國HBM行業(yè)市場現(xiàn)狀分析及未來趨勢研判報(bào)告》

三、高帶寬內(nèi)存（HBM）行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈

高帶寬內(nèi)存（HBM）行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游主要包括電解液、前驅(qū)體、IC載板、GMC等原材料，以及光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、涂膠顯影設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、離子注入設(shè)備、CMP設(shè)備等半導(dǎo)體設(shè)備；行業(yè)中游為高帶寬內(nèi)存（HBM）生產(chǎn)制造；行業(yè)下游主要應(yīng)用于人工智能(AI)、互聯(lián)網(wǎng)和數(shù)據(jù)中心、高性能計(jì)算、云計(jì)算等。

HBM是一種革命性的技術(shù)，它能夠讓芯片的性能得到大幅提升，為各種應(yīng)用提供了更強(qiáng)大的支持。尤其在人工智能研發(fā)領(lǐng)域，HBM解決了該領(lǐng)域核心驅(qū)動(dòng)力，即算力的需求。算力是數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代新生產(chǎn)力，已成為推動(dòng)數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展的核心力量、支撐數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，對(duì)推動(dòng)科技進(jìn)步、促進(jìn)行業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型以及支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展發(fā)揮重要的作用。人工智能技術(shù)的強(qiáng)力引擎，HBM推動(dòng)算力需求爆發(fā)式增長。2024年全國算力總規(guī)模達(dá)280EFLOPS（每秒百億億次浮點(diǎn)運(yùn)算，F(xiàn)P32），預(yù)計(jì)2025年全國算力總規(guī)模有望超過300EFLOPS。

四、高帶寬內(nèi)存（HBM）行業(yè)發(fā)展環(huán)境-相關(guān)政策

HBM作為一種高性能內(nèi)存解決方案，通過提供高帶寬、低延遲和并行傳輸?shù)忍匦裕瑸槿斯ぶ悄芗夹g(shù)的發(fā)展提供了強(qiáng)有力的支持。它使得人工智能模型能夠更快地進(jìn)行訓(xùn)練和推理，從而推動(dòng)了人工智能技術(shù)在各個(gè)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。

高帶寬內(nèi)存(HBM)是當(dāng)前高性能計(jì)算領(lǐng)域最具革命性的內(nèi)存技術(shù)之一。作為一種高性能內(nèi)存解決方案，為人工智能技術(shù)的發(fā)展提供了強(qiáng)有力的支持。近年來，國家發(fā)布了一系列政策，為推動(dòng)大力支持存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展，廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的高帶寬存儲(chǔ)器行業(yè)將快速滲透。

五、高帶寬內(nèi)存（HBM）行業(yè)競爭格局

1、全球競爭格局

與GPGPU產(chǎn)品類似，HBM（尤其是HBM3及以上規(guī)格）需求旺盛，且長期被國外廠商壟斷。2024年從市場格局看，海外廠商仍占據(jù)主導(dǎo)地位：SK海力士以53%的份額領(lǐng)先，且率先實(shí)現(xiàn)HBM3E量產(chǎn)；三星電子占比38%，正在進(jìn)一步推進(jìn)其HBM3E，并研究下一代HBM4，同時(shí)鎖定重要的供應(yīng)合同以滿足AI和HPC的需求；美光科技目前份額為9%，美光科技正在加強(qiáng)其HBM組合研發(fā)，目標(biāo)是2025年將市占率提升至20%以上。

2、國內(nèi)代表企業(yè)

高帶寬內(nèi)存（HBM）是AI時(shí)代不可或缺的產(chǎn)品，目前，全球能獨(dú)立生產(chǎn)HBM的廠商只有三星、SK海力士和美光這三家巨頭。雖然受制于DRAM和先進(jìn)封裝量產(chǎn)工藝，目前國產(chǎn)化率幾乎為0，但中國已有一批企業(yè)在HBM產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵環(huán)節(jié)取得了重要突破，已經(jīng)從材料、設(shè)備到芯片，撕開了一道口子，正加速構(gòu)建自主可控的生態(tài)，國產(chǎn)化率有望提升。國內(nèi)布局HBM的企業(yè)有長鑫存儲(chǔ)、長電科技、通富微電、華天科技、深科技、晶方科技、華進(jìn)半導(dǎo)體、中芯國際、長江存儲(chǔ)、兆易創(chuàng)新、北京君正、瀾起科技、聚辰股份、國科微、全志科技、富瀚微、景嘉微、寒武紀(jì)、地平線、黑芝麻等。

六、高帶寬內(nèi)存（HBM）行業(yè)發(fā)展趨勢

高帶寬內(nèi)存（HBM）作為支撐人工智能、高性能計(jì)算等前沿領(lǐng)域的核心硬件，其戰(zhàn)略地位已攀升至前所未有的高度。高帶寬內(nèi)存（HBM）作為下一代動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）技術(shù)，其核心創(chuàng)新在于獨(dú)特的3D堆疊結(jié)構(gòu)——通過先進(jìn)封裝技術(shù)將多個(gè)DRAM芯片（通常為4層、8層甚至12層）垂直堆疊。這種結(jié)構(gòu)使HBM的帶寬（數(shù)據(jù)傳輸速率）遠(yuǎn)高于GDDR等傳統(tǒng)內(nèi)存解決方案。

未來的AI內(nèi)存版圖將是異構(gòu)多元的層級(jí)體系：HBM聚焦訓(xùn)練場景，PIM內(nèi)存服務(wù)于高能效推理，專用片上內(nèi)存架構(gòu)適配超低延遲應(yīng)用，新型堆疊DRAM與光子互連等技術(shù)也將在系統(tǒng)中占據(jù)一席之地。各類技術(shù)針對(duì)特定工作負(fù)載實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)優(yōu)化，共同構(gòu)成AI時(shí)代的內(nèi)存生態(tài)。

以上數(shù)據(jù)及信息可參考智研咨詢（rainbowgiftswholesale.com）發(fā)布的《中國HBM行業(yè)市場現(xiàn)狀分析及未來趨勢研判報(bào)告》。智研咨詢是中國領(lǐng)先產(chǎn)業(yè)咨詢機(jī)構(gòu)，提供深度產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告、商業(yè)計(jì)劃書、可行性研究報(bào)告及定制服務(wù)等一站式產(chǎn)業(yè)咨詢服務(wù)。您可以關(guān)注【智研咨詢】公眾號(hào)，每天及時(shí)掌握更多行業(yè)動(dòng)態(tài)。