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2026年中國高帶寬內(nèi)存(HBM)行業(yè)政策、產(chǎn)業(yè)鏈、出貨量、收入規(guī)模、競爭格局及發(fā)展趨勢:行業(yè)正處于快速發(fā)展階段,價值量占比在進一步提升[圖]

內(nèi)容概要: 2023年,全球HBM出貨量1.5BGB,HBM產(chǎn)業(yè)收入為43.5億美元;2024年全球HBM出貨量2.8BGB,HBM產(chǎn)業(yè)收入為170億美元;2025年,全球HBM出貨量約4.1BGB,收入金額約307億美元;預計2026年,全球HBM出貨量有望達到5.7BGB,收入金額有望達到500億美元。


上市企業(yè):長電科技[600584]、通富微電[002156]、華天科技[002185]、深科技[000021]、晶方科技[603005]、中芯國際[00981]、中芯國際[00981]、兆易創(chuàng)新[03986]、北京君正[300223]、瀾起科技[688008]、聚辰股份[688123]、國科微[300672]、全志科技[300458]、富瀚微[300613]、景嘉微[300474]、寒武紀-U[688256]、黑芝麻[000716]


相關企業(yè):華進半導體、長江存儲、地平線、賽騰股份、精智達、芯源微、華海清科、中微公司、拓荊科技、北方華創(chuàng)、盛美上海、新益昌、聯(lián)瑞新材、華海誠科、雅克科技、強力新材、通富微電、佰維存儲、長電科技、晶方科技


關鍵詞:高帶寬內(nèi)存(HBM)行業(yè)政策、高帶寬內(nèi)存(HBM)產(chǎn)業(yè)鏈、高帶寬內(nèi)存(HBM)價值量占比、高帶寬內(nèi)存(HBM)出貨量、高帶寬內(nèi)存(HBM)收入規(guī)模、高帶寬內(nèi)存(HBM)市場競爭格局、高帶寬內(nèi)存(HBM)行業(yè)發(fā)展趨勢


一、高帶寬內(nèi)存(HBM行業(yè)定義及優(yōu)勢


高帶寬內(nèi)存(HighBandwidthMemory,HBM)是一種基于3D堆棧工藝的高性能半導體存儲器,具備高帶寬和能效,常被用于高性能計算、網(wǎng)絡交換及轉發(fā)設備等需要高存儲器帶寬的應用場合。作為全新一代的CPU/GPU內(nèi)存芯片,HBM本質上是基于2.5/3D先進封裝技術,把多塊DRAM堆疊起來后與GPU芯片封裝在一起,實現(xiàn)大容量、高位寬的DDR組合陣列。


AI的發(fā)展對數(shù)據(jù)的處理速度、存儲容量、能源效率都提出了更高的要求。HBM相比傳統(tǒng)采用DRAM的方式,具有高帶寬、高容量、低功耗和小尺寸四大優(yōu)勢。其中,HBM最大的特點是高帶寬。HBM的I/O速率雖然慢于傳統(tǒng)GDDR,但其接口有1024個數(shù)據(jù)“線”,遠高于傳統(tǒng)GDDR的32條數(shù)據(jù)線,通過極寬的接口方式實現(xiàn)了更高的帶寬。

HBM相比傳統(tǒng)采用DRAM的方式具有的四大優(yōu)勢


基于技術節(jié)點、高帶寬內(nèi)存市場被分割為10nm以下、10nm至20nm以下、20nm以上,10nm至20nm節(jié)點市場占2024年市場份額最高,為44.46%。按記憶能力可以分為小于4GB、4GB到8GB、8GB到16GB和16GB以上,16GB以上內(nèi)存類型段占2024年市場份額最高的32%。按市場應用可以分為圖形處理單元(GPU)、中央處理單元(CPU)、場可編程門陣列(FPGA)、應用程序專用集成電路(ASIC)、人工智能(AI)和機器學習(ML)、高性能計算(HPC)、聯(lián)網(wǎng)和數(shù)據(jù)中心等,PU部分占2024年市場份額最高的21.3%。按最終用途可以分為信息技術和電信、游戲和娛樂(E)、保健和生命科學、汽車、軍事和國防等,2024年IT和電信部分的市場份額最高,占26.3%。

高帶寬內(nèi)存(HBM)行業(yè)分類


二、高帶寬內(nèi)存(HBM行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀


高帶寬內(nèi)存(HBM)是一種基于3D堆棧工藝的圖形DDR類型DRAM技術,通過TSV(硅通孔)和芯片堆疊架構實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸與低能耗特性4.1,可滿足AI的高帶寬需求,已逐步成為AI加速卡(GPU、TPU等)的搭載標配,價值量占比最高且仍在進一步提升。

高帶寬內(nèi)存(HBM)價值量占比情況


高帶寬內(nèi)存(HBM)是AI時代的必備品,行業(yè)正處于快速發(fā)展階段,人工智能、高性能計算等領域對HBM需求持續(xù)增長。根據(jù)TrendForce,基于三星、海力士和美光的出貨口徑,2023年,全球HBM出貨量1.5BGB,HBM產(chǎn)業(yè)收入為43.5億美元;2024年全球HBM出貨量2.8BGB,HBM產(chǎn)業(yè)收入為170億美元;2025年,全球HBM出貨量約4.1BGB,收入金額約307億美元;預計2026年,全球HBM出貨量有望達到5.7BGB,收入金額有望達到500億美元。

全球HBM出貨量及收入金額統(tǒng)計


相關報告:智研咨詢發(fā)布的《中國HBM行業(yè)市場現(xiàn)狀分析及未來趨勢研判報告


三、高帶寬內(nèi)存(HBM行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈


高帶寬內(nèi)存(HBM)行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游主要包括電解液、前驅體、IC載板、GMC等原材料,以及光刻機、刻蝕機、涂膠顯影設備、薄膜沉積設備、離子注入設備、CMP設備等半導體設備;行業(yè)中游為高帶寬內(nèi)存(HBM)生產(chǎn)制造;行業(yè)下游主要應用于人工智能(AI)、互聯(lián)網(wǎng)和數(shù)據(jù)中心、高性能計算、云計算等。

高帶寬內(nèi)存(HBM)行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈


HBM是一種革命性的技術,它能夠讓芯片的性能得到大幅提升,為各種應用提供了更強大的支持。尤其在人工智能研發(fā)領域,HBM解決了該領域核心驅動力,即算力的需求。算力是數(shù)字經(jīng)濟時代新生產(chǎn)力,已成為推動數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展的核心力量、支撐數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展的堅實基礎,對推動科技進步、促進行業(yè)數(shù)字化轉型以及支撐經(jīng)濟社會發(fā)展發(fā)揮重要的作用。人工智能技術的強力引擎,HBM推動算力需求爆發(fā)式增長。2024年全國算力總規(guī)模達280EFLOPS(每秒百億億次浮點運算,F(xiàn)P32),預計2025年全國算力總規(guī)模有望超過300EFLOPS。

2020-2025年中國算力總規(guī)模統(tǒng)計


四、高帶寬內(nèi)存(HBM行業(yè)發(fā)展環(huán)境-相關政策


HBM作為一種高性能內(nèi)存解決方案,通過提供高帶寬、低延遲和并行傳輸?shù)忍匦?,為人工智能技術的發(fā)展提供了強有力的支持。它使得人工智能模型能夠更快地進行訓練和推理,從而推動了人工智能技術在各個領域的廣泛應用。


高帶寬內(nèi)存(HBM)是當前高性能計算領域最具革命性的內(nèi)存技術之一。作為一種高性能內(nèi)存解決方案,為人工智能技術的發(fā)展提供了強有力的支持。近年來,國家發(fā)布了一系列政策,為推動大力支持存儲芯片行業(yè)發(fā)展,廣泛應用于高性能計算、數(shù)據(jù)中心等領域的高帶寬存儲器行業(yè)將快速滲透。

高帶寬內(nèi)存(HBM)行業(yè)相關政策


五、高帶寬內(nèi)存(HBM行業(yè)競爭格局


1、全球競爭格局


與GPGPU產(chǎn)品類似,HBM(尤其是HBM3及以上規(guī)格)需求旺盛,且長期被國外廠商壟斷。2024年從市場格局看,海外廠商仍占據(jù)主導地位:SK海力士以53%的份額領先,且率先實現(xiàn)HBM3E量產(chǎn);三星電子占比38%,正在進一步推進其HBM3E,并研究下一代HBM4,同時鎖定重要的供應合同以滿足AI和HPC的需求;美光科技目前份額為9%,美光科技正在加強其HBM組合研發(fā),目標是2025年將市占率提升至20%以上。

2024年全球高帶寬內(nèi)存(HBM)行業(yè)競爭格局


2、國內(nèi)代表企業(yè)


高帶寬內(nèi)存(HBM)是AI時代不可或缺的產(chǎn)品,目前,全球能獨立生產(chǎn)HBM的廠商只有三星、SK海力士和美光這三家巨頭。雖然受制于DRAM和先進封裝量產(chǎn)工藝,目前國產(chǎn)化率幾乎為0,但中國已有一批企業(yè)在HBM產(chǎn)業(yè)鏈的關鍵環(huán)節(jié)取得了重要突破,已經(jīng)從材料、設備到芯片,撕開了一道口子,正加速構建自主可控的生態(tài),國產(chǎn)化率有望提升。國內(nèi)布局HBM的企業(yè)有長鑫存儲、長電科技、通富微電、華天科技、深科技、晶方科技、華進半導體、中芯國際、長江存儲、兆易創(chuàng)新、北京君正、瀾起科技、聚辰股份、國科微、全志科技、富瀚微、景嘉微、寒武紀、地平線、黑芝麻等。

國內(nèi)布局HBM的企業(yè)及發(fā)展?jié)摿︻A判


六、高帶寬內(nèi)存(HBM行業(yè)發(fā)展趨勢


高帶寬內(nèi)存(HBM)作為支撐人工智能、高性能計算等前沿領域的核心硬件,其戰(zhàn)略地位已攀升至前所未有的高度。高帶寬內(nèi)存(HBM)作為下一代動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)技術,其核心創(chuàng)新在于獨特的3D堆疊結構——通過先進封裝技術將多個DRAM芯片(通常為4層、8層甚至12層)垂直堆疊。這種結構使HBM的帶寬(數(shù)據(jù)傳輸速率)遠高于GDDR等傳統(tǒng)內(nèi)存解決方案。


未來的AI內(nèi)存版圖將是異構多元的層級體系:HBM聚焦訓練場景,PIM內(nèi)存服務于高能效推理,專用片上內(nèi)存架構適配超低延遲應用,新型堆疊DRAM與光子互連等技術也將在系統(tǒng)中占據(jù)一席之地。各類技術針對特定工作負載實現(xiàn)精準優(yōu)化,共同構成AI時代的內(nèi)存生態(tài)。

高帶寬內(nèi)存(HBM)行業(yè)發(fā)展趨勢


以上數(shù)據(jù)及信息可參考智研咨詢(rainbowgiftswholesale.com)發(fā)布的《中國HBM行業(yè)市場現(xiàn)狀分析及未來趨勢研判報告》。智研咨詢是中國領先產(chǎn)業(yè)咨詢機構,提供深度產(chǎn)業(yè)研究報告、商業(yè)計劃書、可行性研究報告及定制服務等一站式產(chǎn)業(yè)咨詢服務。您可以關注【智研咨詢】公眾號,每天及時掌握更多行業(yè)動態(tài)。

本文采編:CY315
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2026年中國HBM行業(yè)市場現(xiàn)狀分析及未來趨勢研判報告
2026年中國HBM行業(yè)市場現(xiàn)狀分析及未來趨勢研判報告

《2026年中國HBM行業(yè)市場現(xiàn)狀分析及未來趨勢研判報告》對HBM概述、HBM產(chǎn)業(yè)鏈及關鍵工藝分析、全球HBM市場現(xiàn)狀、全球HBM市場格局、中國HBM行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀、中國HBM行業(yè)競爭格局及重點企業(yè)、中國HBM行業(yè)投資前景、中國HBM行業(yè)發(fā)展趨勢等進行了深入的分析。

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