半導(dǎo)體設(shè)備需求空前旺盛，5G網(wǎng)絡(luò)的多應(yīng)用場景也為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來新機遇【圖】

    一、全球半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

    2017 年全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售額為 4122 億美元，同比增速 21.6%，創(chuàng)下歷年新高，預(yù)測未來 3年全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售額年均增速達 7%，至 2020 年超過 5000 億美元。2018 年 4 月份全球半導(dǎo)體銷售額 376 億美元，同比飆升 20.2%，新年開局十分強勁，美洲地區(qū)銷售額增長最快，為 34.1%，中國地區(qū)緊隨其后，同比增長 22.1%，環(huán)比持平，行業(yè)景氣度有增無減。短期內(nèi)，半導(dǎo)體市場增長依然非常樂觀，預(yù)計 2018 年繼續(xù)保持高增長態(tài)勢。

2017 年全球半導(dǎo)體銷售額達 4122 億美元

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    相關(guān)報告：智研咨詢網(wǎng)發(fā)布的《2018-2024年中國半導(dǎo)體行業(yè)市場現(xiàn)狀分析及投資前景預(yù)測報告》

    近年來半導(dǎo)體設(shè)備需求旺盛。 2008、 2009 年受到金融危機的影響，半導(dǎo)體設(shè)備投資隨半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進入蕭條期而緊縮。全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額同比分別下降 31%和 46%，危機過后產(chǎn)業(yè)逐步復(fù)蘇， 2011 年達到歷史相對高點 435 億美元，隨后受到周期性影響設(shè)備支出有所下降。而 2016 年全球集成電路設(shè)備市場規(guī)模為 412 億美元，同比增長 13%， 2017年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模更是達到 566.2 億美元，同比增長 37.3%，超越歷史最高點，增速為近 7 年來的最高水平，設(shè)備需求空前旺盛。

全球半導(dǎo)體設(shè)備年銷售額超越歷史高點

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    2017 年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場成績已出爐。從地區(qū)貢獻來看， 2017 年，韓國買家貢獻了全球 32%的市場份額，其次為臺灣地區(qū)、中國大陸、日本，前 4 市場占全球半導(dǎo)體設(shè)備市場份額超過 75%。韓國以近 180 億美元的規(guī)模超過中國臺灣地區(qū)，登頂全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場，較 2016 年增長 133.4%；臺灣半導(dǎo)體設(shè)備市場萎縮約 6%，退居全球第二大半導(dǎo)體市場；除臺灣地區(qū)之外，全球其它主要半導(dǎo)體設(shè)備市場均實現(xiàn)了一定幅度的增長。

    中國半導(dǎo)體設(shè)備市場增長迅速，中國大陸市場去年依舊表現(xiàn)良好，銷售額為 82.3 億美元，同比增長了 27%，連續(xù)兩年位居全球第三。 2017 年中國半導(dǎo)體市場較 2012 年增長已經(jīng)超過了 2 倍，占全球半導(dǎo)體設(shè)備的市場份額已經(jīng)接近 15%。隨著我國對于集成電路產(chǎn)業(yè)的投資持續(xù)加碼，我國半導(dǎo)體設(shè)備市場有望進一步增長。

2016-2017 全球半導(dǎo)體設(shè)備市場份額變化

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    美國半導(dǎo)體設(shè)備最大的優(yōu)勢為晶圓處理中的 PVD、檢測、 離子注入設(shè)備和 CMP 設(shè)備，刻蝕設(shè)備和 CVD 設(shè)備也處于較領(lǐng)先地位。半導(dǎo)體設(shè)備中，晶圓處理設(shè)備占超過 80%的份額， 晶圓處理設(shè)備中，刻蝕、 CVD、 CMP、檢測設(shè)備也占據(jù)了較大份額。

晶圓處理設(shè)備占整個半導(dǎo)體設(shè)備約 80%份額

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晶圓處理設(shè)備的市場份額中，刻蝕、光刻和沉積設(shè)備份額最大

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    二、中國半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展再迎機遇期

    1、中國半導(dǎo)體需求占全球 30%， 集成電路銷售額達 5400 億元成最大下游市場

    2017年，中國半導(dǎo)體銷售額達 1315 億美元，同比增速 22.5%，占全球市場銷售額比重高達約30%， 其中集成電路銷售額達 5411.3 億元， 中國已然成為全世界最大的半導(dǎo)體下游市場。

2017 年中國半導(dǎo)體銷售額同比增長 22.3%

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中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額達 5411.3 億元

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    由于歷史原因， 我國半導(dǎo)體行業(yè)整體基礎(chǔ)較為薄弱，尤其是在資金壁壘、技術(shù)壁壘最高的芯片制造領(lǐng)域，國內(nèi)企業(yè)與美國、臺灣、日韓領(lǐng)先企業(yè)的差距在 2-3 代以上。從全球IC 產(chǎn)業(yè)鏈分布來看，芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試三大環(huán)節(jié)占比約為 27%、 51%、 22%。我國集成電路設(shè)計業(yè)、制造業(yè)、封測業(yè) 2017 年銷售額分別為 2073.5、 1448.1、 1889.7 億元，占比分別為 38%、 27%、 35%，產(chǎn)業(yè)發(fā)展整體呈現(xiàn)“兩頭粗、中間細”格局。由于我國半導(dǎo)體核心元件尚無法實現(xiàn)大規(guī)模自給，大陸地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)品進出口額長期處于逆差，關(guān)鍵設(shè)備亦長期受制于海外廠商。

國大陸地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)品進出口額長期處于逆差

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    近年來伴隨國家對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)投入及部分民營企業(yè)的興起，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈布局逐步完善。在硅單晶爐、刻蝕機、封裝設(shè)備、測試設(shè)備等壁壘相對低的領(lǐng)域，國產(chǎn)設(shè)備已達到或接近國外先進水平，且成本優(yōu)勢明顯。例如晶盛機電生產(chǎn)的單晶硅長晶爐，其在投料量、自動化程度和晶棒尺寸等指標方面均已處于國際領(lǐng)先水平；中微半體生產(chǎn)的 16nm 刻蝕機實現(xiàn)了商業(yè)化量產(chǎn)，并已進入臺積電 5 條生產(chǎn)線；北方華創(chuàng)生產(chǎn)的CVD 設(shè)備已進入中芯國際 28nm 生產(chǎn)線， 14nm 設(shè)備處于驗證期。

    除國家層面推動外，北京、上海、湖北、福建、江蘇等多地政府也紛紛響應(yīng)，成立了規(guī)模不等的地方產(chǎn)業(yè)基金推動集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。截至 2016 年，地方產(chǎn)業(yè)基金總規(guī)模已超3000 億元，相應(yīng)配套扶持政策亦不斷完善。目前國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期業(yè)已進入募集階段，預(yù)計總規(guī)模將達到 1500-2000 億元。

2016 年地方政府集成電路產(chǎn)業(yè)基金規(guī)模

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    今年 4 月，在中美貿(mào)易戰(zhàn)一觸即發(fā)的大背景下，中興通訊“芯片門”再一次將集成電路技術(shù)自主可控議題推上風(fēng)口浪尖。此后中興事件雖出現(xiàn)轉(zhuǎn)圜，但芯片軟肋給我國外交談判帶來的被動局面無疑給政府敲響了警鐘，集成電路國產(chǎn)化的戰(zhàn)略意義再次突顯。未來幾年大陸集成電路產(chǎn)業(yè)將持續(xù)得到政府政策、資金面支持，產(chǎn)業(yè)整體有望得到實質(zhì)性發(fā)展。

    由于存儲器市場火爆， 12 寸硅片市場需求將持續(xù)大，國內(nèi)來看，據(jù)統(tǒng)計，國內(nèi) 12 寸硅片月需求 46萬片，預(yù)計 2018 年需求增大到 120 萬片/月，而 12 寸硅片國內(nèi)尚無量產(chǎn)能力，供需缺口巨大。據(jù)統(tǒng)計， 8 寸硅片月需求為 70 萬片，而國內(nèi)包括浙江金瑞泓、昆山中辰等重點廠商平均產(chǎn)量共計約 23 萬片/月，供需缺口近 50 萬片/月；從全球來看，據(jù)業(yè)界預(yù)測， 2017年、 2018 年全球 12 寸硅片需求為 550 萬片/月， 580 萬片/月，未來 3年全球產(chǎn)能復(fù)合增速在 2%~3%，對應(yīng) 2017 年與 2018 年產(chǎn)能為 525 萬片/月、 540 萬片/月，供需缺口在 30 萬片/月以上，供不應(yīng)求狀態(tài)依舊持續(xù)。由于如此之大的供需缺口存在，全世界尤其是中國大陸開始興起晶圓廠投資熱潮，資本開支持續(xù)走高，預(yù)計 2018~2020年迎來資本開支高峰。

全球 12 寸大硅片供需缺口巨大（單位：萬片/月）

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    全球半導(dǎo)體企業(yè)掀起投資建廠熱潮，中國大陸占比超 40%。 為迎合快速增長的半導(dǎo)體市場需求，全球范圍尤其是中國地區(qū)迎來晶圓代工廠投資建廠熱潮，預(yù)計 2017 年~2020 年間全球共將投產(chǎn) 62 座半導(dǎo)體晶圓廠，中國大陸新建投產(chǎn)約 26 座，占比達 42%。此輪建廠潮主要以 12 寸晶圓廠為主， 2018 年即將到達建設(shè)投產(chǎn)高峰，全球半導(dǎo)體企業(yè)也迎來資本開支大年。

    月產(chǎn)能 1 萬片需投入 6 億美元設(shè)備， 2018 年中國設(shè)備支出將增大到 100 億美元。 2017 年全球晶圓廠設(shè)備支出 460 億美元，預(yù)計 2018 年支出高達 540 億美元，總支出（建設(shè)和設(shè)備總計）同比增長 54%； 2017 年中國新建的新晶圓廠將于 2018 年開始裝機，預(yù)計 2018 年中國設(shè)備支出超 100 億美金，成長超 55%。根據(jù)一些公布的晶圓廠建設(shè)投資規(guī)劃進行統(tǒng)計測算，新建一座晶圓廠平均投資金額約 60 億美元，設(shè)備投資占總投資金額的 70%以上， 1 萬片/月的單位產(chǎn)能對應(yīng)總投資約 8.5 億美元，對應(yīng)設(shè)備投資約 6億美元。而在設(shè)備配置中，制造設(shè)備占比最多，占比高達 70%，其中光刻機、刻蝕機以及薄膜沉積設(shè)備為核心，各占 30%、25%， 25%；封裝設(shè)備與測試設(shè)備占設(shè)備投資比例為 15%、10%。

設(shè)備投資占晶圓廠總投資 70%以上

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晶圓廠設(shè)備配置

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    2、我國半導(dǎo)體設(shè)備市場遭國外巨頭壟斷

    半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率普遍低于 20%，國內(nèi)市場遭國外巨頭壟斷。 目前，我國設(shè)備普遍國產(chǎn)化率很低，如光刻機、離子注入設(shè)備、氧化擴散設(shè)備國產(chǎn)化率均低于 10%，刻蝕機約10%，CVD/PVD 設(shè)備約 10%~15%，封測設(shè)備國產(chǎn)化率普遍小于 20%。據(jù)預(yù)計，至 2020 年中國集成電路市場規(guī)模達到1180 億~1734 億美元，復(fù)合增長率 8%，全球市場占比為 35.98%~43.35%，產(chǎn)業(yè)規(guī)模達到 483 億~851 億美元，全球市占比達到 14.7%~21.3%，中國市場占比達到 40.9%~49.1%。國際巨頭壟斷全球高端設(shè)備市場，打破壟斷提高國產(chǎn)化率是當務(wù)之急。 當下， 國內(nèi)半導(dǎo)體市場利潤多為國外巨頭瓜分，據(jù)數(shù)據(jù)顯示， 2016 年僅美國企業(yè)在中國半導(dǎo)體市場的占有率就高達 51%，半導(dǎo)體設(shè)備國內(nèi)自供給率不足 20%，在如此廣闊市場空間下，國內(nèi)企業(yè)唯有加緊技術(shù)突破，打破國外巨頭壟斷，才能安享自家豐盛的半導(dǎo)體市場大宴。

2017 年全球光刻機總銷售情況(單位：臺)

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    三、2018年半導(dǎo)體業(yè)呈現(xiàn)趨勢

    集成電路是半導(dǎo)體行業(yè)的最主要組成部分，其設(shè)備投資占整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈資本支出的 80%左右，其中由于芯片制造領(lǐng)域涉及技術(shù)難度很高，如光刻機工藝要求極高，國內(nèi)與國外水平相差 3 代以上，短時間難以趕超，而產(chǎn)業(yè)鏈后端環(huán)節(jié)封裝測試領(lǐng)域技術(shù)含量相對較低，因而成為我國重點突破領(lǐng)域，目前也已經(jīng)成為我國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中最具競爭力的環(huán)節(jié)， 2018 年 Q1 中國封測產(chǎn)業(yè)貢獻了 402.5 億元的銷售額，占國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額 35%，封裝設(shè)備市場占全球封裝設(shè)備市場的 36.8%。因此，借鑒中國臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起是從封裝測試領(lǐng)域切入，我國未來也會實現(xiàn)首先從后端環(huán)節(jié)超車。

后端環(huán)節(jié)是我國重點突破領(lǐng)域，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售結(jié)構(gòu)已有改變

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    導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速增長得益于物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車、人工智能等市場的崛起，以及5G商用進程的加快。在2017年眾多新勢能紛紛崛起之時，2018年半導(dǎo)體業(yè)將會呈現(xiàn)什么發(fā)展趨勢？

    2018年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將依然欣欣向榮，拉動市場發(fā)展的因素重點圍繞在汽車電子、人工智能（AI）、存儲器以及5G網(wǎng)絡(luò)等多個領(lǐng)域上。

    走過2017年“昂貴”的半導(dǎo)體市場，業(yè)內(nèi)人士迎來了2018年的新機遇。知名信息技術(shù)研究和分析公司Gartner預(yù)測2018年半導(dǎo)體市場可望增長4%，達到4274億美元規(guī)模，繼2017年后再創(chuàng)新高。

    2018年半導(dǎo)體市場發(fā)展將會受益于汽車電子、AR等領(lǐng)域的增長，另一方面，5G網(wǎng)絡(luò)、IoT也將積極推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)步入黃金期。預(yù)測2018年，至少有40%的公司將配備數(shù)字化管理團隊推進IoT等戰(zhàn)略。2018年IoT將會同AI融合成為AIoT。隨著AIoT時代來臨，高效能運算AI芯片的市場需求將會迅速增長。

    人工智能與物聯(lián)網(wǎng)密不可分，未來趨勢是將人工智能技術(shù)與物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)兩者相結(jié)合，進化為AIoT，進而驅(qū)動汽車電子和智能設(shè)備的升級。上述的新興市場和技術(shù)將促成新產(chǎn)品的出現(xiàn)或現(xiàn)有產(chǎn)品的升級，將為整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營收注入一股動力。另一方面，日益復(fù)雜的新技術(shù)也將促成更多的跨界合作，生態(tài)系統(tǒng)的建立也將日益重要。

    2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給年成長率為19.6%。隨著智能手機內(nèi)存容量的升級，2018年存儲器市場也將得以帶動。根據(jù)預(yù)測，全球半導(dǎo)體（包括集成電路、光電器件、傳感器與分立器件）出貨量逐年穩(wěn)定攀升，2018年將首次實現(xiàn)年出貨量超過1萬億顆。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還有更加光輝的未來。

    2018年5G網(wǎng)絡(luò)將呈現(xiàn)井噴式發(fā)展，并將為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來新突破，各大企業(yè)已做好迎接新機遇的準備。

    半導(dǎo)體領(lǐng)域眾多企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)人表示期盼5G網(wǎng)絡(luò)的到來，期望新通訊網(wǎng)絡(luò)能為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)打開新的窗口。5G對于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的帶動作用主要體現(xiàn)在性能優(yōu)異的化合物半導(dǎo)體的大量使用上，5G智能手機需要大量采用GaAs射頻器件，而5G通信基站也將產(chǎn)生大量GaN射頻器件的需求，GaAs射頻器件市場將達到130億美元，而GaN射頻器件市場或?qū)⒊^6億美元。除了化合物半導(dǎo)體之外，5G網(wǎng)絡(luò)的多應(yīng)用場景也為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來新機遇。