中國集成電路市場保持高速增長。據(jù)國家統(tǒng)計局統(tǒng)計,2017年,中國集成電路市場延續(xù)增長態(tài)勢,產(chǎn)量達(dá)到1565億塊,同比增長18%,2008-2017年年均復(fù)合增長率CAGR達(dá)16%。我國集成電路自給率仍較低,很大比例的需求仍要依靠進(jìn)口滿足。2017年我國集成電路進(jìn)口量近3770億塊,同比增長10%,約為同年我國集成電路產(chǎn)量的2.4倍,由此可見自給率仍低。目前我國集成電路行業(yè)的主要矛盾主要是高速增長的需求與自身供給能力不足的矛盾。
中國集成電路產(chǎn)量(億塊)
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中國集成電路電路進(jìn)出口數(shù)量統(tǒng)計(億塊)
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相關(guān)報告:智研咨詢網(wǎng)發(fā)布的《2018-2024年中國光子集成電路行業(yè)市場供需預(yù)測及投資戰(zhàn)略研究報告》
集成電路生產(chǎn)需要用到包括硅基材、CMP拋光材料、高純試劑(用于顯影、清洗、剝離、刻蝕)、特種氣體、光刻膠、掩膜版、封裝材料等多種化學(xué)品。
全球及國內(nèi)半導(dǎo)體材料市場規(guī)模統(tǒng)計
單位:億美元 | 2012 | 2013 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 |
硅片 | 86.8 | 75.4 | 76.3 | 71.5 | 69.8 | 70.4 |
掩膜版 | 31 | 31.4 | 32.2 | 32.7 | 33.4 | 34.4 |
光刻膠 | 13.5 | 12.2 | 13.7 | 13.3 | 13.4 | 13.5 |
光刻膠及配套試劑 | 15.1 | 14.3 | 17.1 | 18 | 18.1 | 18.3 |
電子氣體 | 31.2 | 33.2 | 34.8 | 35 | 34 | 34.9 |
工藝化學(xué)品 | 9.8 | 13.2 | 14.2 | 14.2 | 14.8 | 14.7 |
靶材 | 6 | 6 | 6.3 | 6.3 | 6.5 | 7.3 |
CMP材料 | 13.8 | 14.4 | 15.7 | 15.9 | 16.4 | 17.2 |
其他材料 | 23.2 | 25.9 | 28.6 | 30.2 | 31.8 | 32.8 |
總計 | 230.4 | 226 | 238.9 | 237.1 | 238.2 | 243.5 |
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我國半導(dǎo)體制造材料市場規(guī)模
單位:億元 | 2012 | 2013 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 |
硅片 | 91.03 | 98.82 | 108.12 | 110.54 | 119.44 | 125.6 |
掩膜版 | 28.61 | 32.93 | 37.84 | 41.45 | 45.89 | 50.68 |
光刻膠 | 11.7 | 13.59 | 15.93 | 17.09 | 18.91 | 20.2 |
光刻膠及配套試劑 | 11.49 | 14.33 | 16.79 | 17.99 | 19.58 | 24.24 |
電子氣體 | 28.83 | 33.35 | 38.92 | 32.02 | 46.45 | 51.41 |
工藝化學(xué)品 | 8.67 | 10.43 | 12.38 | 13.16 | 14.27 | 18.36 |
靶材 | 5.51 | 6.55 | 7.54 | 7.96 | 8.79 | 10.65 |
CMP材料 | 11.83 | 14.82 | 18.75 | 20.13 | 23.22 | 25.71 |
其他材料 | 19.07 | 22.23 | 28.25 | 30.04 | 35.24 | 40.4 |
總計 | 216.74 | 247.05 | 284.52 | 290.38 | 331.79 | 367.25 |
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一、硅片
目前大部分晶圓以硅為主要原料。硅晶圓的加工可分為硅提純、拉晶、加工處理等流程,其中加工處理包括切片、圓邊以及研磨等操作。IC集成度越來越高,要求硅晶圓朝大尺寸方向發(fā)展。硅晶圓是集成電路的基底,按照尺寸大小可分為6英寸、8英寸和12英寸等(尺寸指的是硅晶圓片的直徑)。尺寸越大,加工難度也越大。集成電路的集成度越來越高,對大尺寸硅片的需求量越來越大。目前全球12英寸硅片的市場份額正在逐年提升。
全球硅晶圓朝大尺寸方向發(fā)展
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2016年中國硅片市場規(guī)模達(dá)到120億元以上。據(jù)預(yù)測,2018年底中國12英寸晶圓制造月產(chǎn)能將達(dá)到70萬片,同比增長42%,硅晶片國產(chǎn)替代空間較大。
全球硅片市場規(guī)模(億美元)
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中國硅片市場規(guī)模(億元)
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二、光刻膠
光刻膠又稱光致抗蝕劑,是利用化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行圖像轉(zhuǎn)移的媒體,是由感光樹脂、光引發(fā)劑、添加劑和溶劑等主要成分組成的對光敏感的混合液體。在光刻膠中,感光樹脂是關(guān)鍵組分,感光樹脂經(jīng)過光照后,在曝光區(qū)能很快的發(fā)生光固化反應(yīng),使得材料的物理性能,特別是溶解性、親和性等發(fā)生明顯變化。經(jīng)過適當(dāng)溶劑處理,溶去可溶性部分,便可以得到所需圖像。
2016年全球半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模為14.5億美元,同比增長9.0%,預(yù)計2017和2018年全球光刻膠市場規(guī)模為15.3億美元和15.7億美元,其中半導(dǎo)體光刻膠仍以ArF/浸沒ArF為主,占市場總量約45%,KrF約占總量24%。2016年我國半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模為19.55億元,預(yù)計2017和2018年光刻膠市場規(guī)模將達(dá)到19.76億元和23.15億元。
全球半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模(億美元)
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2016年半導(dǎo)體光刻膠以ArF/ArF浸沒式為主
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三、靶材
濺射是指利用離子源產(chǎn)生的離子,在高真空腔體中通過加速聚集,形成高速度的離子流轟擊固體表面。離子和固體表面原子發(fā)生動能交換,固體表面的的原子離開固體并沉積在基底表面,被轟擊的固體即為濺射用靶材。
在晶圓制造材料中,濺射靶材約占芯片制造材料市場的2.6%。在封裝測試材料中,濺射靶材約占封裝測試材料市場的2.7%。2016年中國半導(dǎo)體用濺射靶材市場規(guī)模約為14億元,同比增長20.69%。
全球半導(dǎo)體用濺射靶材規(guī)模(億元)
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我國半導(dǎo)體芯片濺射靶材市場規(guī)模(億元)
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四、CMP拋光材料
CMP材料替代空間較大,但國內(nèi)企業(yè)僅能從200nm拋光墊入手。2016年國內(nèi)CMP材料市場需求規(guī)模達(dá)23億元,到2018年有望達(dá)到28億元。但由于國內(nèi)目前除陶氏(中國)外均不具備300nm晶圓拋光墊專利權(quán),僅能從無需授權(quán)的200nm拋光墊入手,占據(jù)部分低端市場。
全球CMP材料市場需求規(guī)模(億美元)
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國內(nèi)CMP材料市場需求規(guī)模(億元)
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五、特種氣體
2016年全球半導(dǎo)體特種氣體市場規(guī)模約34億美元,中國半導(dǎo)體特種氣體市場規(guī)模約50億元,目前國內(nèi)企業(yè)電子特氣市占率僅20%,按照集成電路產(chǎn)業(yè)“十三五”發(fā)展規(guī)劃目標(biāo),2020年電子特氣國產(chǎn)化率達(dá)到50%以上。
全球特種氣體市場規(guī)模(億美元)
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中國特種氣體市場規(guī)模(億元)
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2025-2031年中國通用集成電路行業(yè)市場動態(tài)分析及前景戰(zhàn)略研判報告
《2025-2031年中國通用集成電路行業(yè)市場動態(tài)分析及前景戰(zhàn)略研判報告》共六章,包含通用集成電路行業(yè)企業(yè)分析,2025-2031年中國通用集成電路行業(yè)發(fā)展前景預(yù)測分析,2025-2031年中國通用集成電路行業(yè)投融資戰(zhàn)略規(guī)劃分析等內(nèi)容。



