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2018年中國集成電路行業(yè)發(fā)展趨勢及市場規(guī)模預(yù)測【圖】

    中國集成電路市場保持高速增長。據(jù)國家統(tǒng)計局統(tǒng)計,2017年,中國集成電路市場延續(xù)增長態(tài)勢,產(chǎn)量達(dá)到1565億塊,同比增長18%,2008-2017年年均復(fù)合增長率CAGR達(dá)16%。我國集成電路自給率仍較低,很大比例的需求仍要依靠進(jìn)口滿足。2017年我國集成電路進(jìn)口量近3770億塊,同比增長10%,約為同年我國集成電路產(chǎn)量的2.4倍,由此可見自給率仍低。目前我國集成電路行業(yè)的主要矛盾主要是高速增長的需求與自身供給能力不足的矛盾。

中國集成電路產(chǎn)量(億塊)

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中國集成電路電路進(jìn)出口數(shù)量統(tǒng)計(億塊)

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    相關(guān)報告:智研咨詢網(wǎng)發(fā)布的《2018-2024年中國光子集成電路行業(yè)市場供需預(yù)測及投資戰(zhàn)略研究報告

    集成電路生產(chǎn)需要用到包括硅基材、CMP拋光材料、高純試劑(用于顯影、清洗、剝離、刻蝕)、特種氣體、光刻膠、掩膜版、封裝材料等多種化學(xué)品。

全球及國內(nèi)半導(dǎo)體材料市場規(guī)模統(tǒng)計

單位:億美元
2012
2013
2014
2015
2016
2017
硅片
86.8
75.4
76.3
71.5
69.8
70.4
掩膜版
31
31.4
32.2
32.7
33.4
34.4
光刻膠
13.5
12.2
13.7
13.3
13.4
13.5
光刻膠及配套試劑
15.1
14.3
17.1
18
18.1
18.3
電子氣體
31.2
33.2
34.8
35
34
34.9
工藝化學(xué)品
9.8
13.2
14.2
14.2
14.8
14.7
靶材
6
6
6.3
6.3
6.5
7.3
CMP材料
13.8
14.4
15.7
15.9
16.4
17.2
其他材料
23.2
25.9
28.6
30.2
31.8
32.8
總計
230.4
226
238.9
237.1
238.2
243.5

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我國半導(dǎo)體制造材料市場規(guī)模

單位:億元
2012
2013
2014
2015
2016
2017
硅片
91.03
98.82
108.12
110.54
119.44
125.6
掩膜版
28.61
32.93
37.84
41.45
45.89
50.68
光刻膠
11.7
13.59
15.93
17.09
18.91
20.2
光刻膠及配套試劑
11.49
14.33
16.79
17.99
19.58
24.24
電子氣體
28.83
33.35
38.92
32.02
46.45
51.41
工藝化學(xué)品
8.67
10.43
12.38
13.16
14.27
18.36
靶材
5.51
6.55
7.54
7.96
8.79
10.65
CMP材料
11.83
14.82
18.75
20.13
23.22
25.71
其他材料
19.07
22.23
28.25
30.04
35.24
40.4
總計
216.74
247.05
284.52
290.38
331.79
367.25

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    一、硅片

    目前大部分晶圓以硅為主要原料。硅晶圓的加工可分為硅提純、拉晶、加工處理等流程,其中加工處理包括切片、圓邊以及研磨等操作。IC集成度越來越高,要求硅晶圓朝大尺寸方向發(fā)展。硅晶圓是集成電路的基底,按照尺寸大小可分為6英寸、8英寸和12英寸等(尺寸指的是硅晶圓片的直徑)。尺寸越大,加工難度也越大。集成電路的集成度越來越高,對大尺寸硅片的需求量越來越大。目前全球12英寸硅片的市場份額正在逐年提升。

全球硅晶圓朝大尺寸方向發(fā)展

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    2016年中國硅片市場規(guī)模達(dá)到120億元以上。據(jù)預(yù)測,2018年底中國12英寸晶圓制造月產(chǎn)能將達(dá)到70萬片,同比增長42%,硅晶片國產(chǎn)替代空間較大。

全球硅片市場規(guī)模(億美元)

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中國硅片市場規(guī)模(億元)

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    二、光刻膠

    光刻膠又稱光致抗蝕劑,是利用化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行圖像轉(zhuǎn)移的媒體,是由感光樹脂、光引發(fā)劑、添加劑和溶劑等主要成分組成的對光敏感的混合液體。在光刻膠中,感光樹脂是關(guān)鍵組分,感光樹脂經(jīng)過光照后,在曝光區(qū)能很快的發(fā)生光固化反應(yīng),使得材料的物理性能,特別是溶解性、親和性等發(fā)生明顯變化。經(jīng)過適當(dāng)溶劑處理,溶去可溶性部分,便可以得到所需圖像。

    2016年全球半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模為14.5億美元,同比增長9.0%,預(yù)計2017和2018年全球光刻膠市場規(guī)模為15.3億美元和15.7億美元,其中半導(dǎo)體光刻膠仍以ArF/浸沒ArF為主,占市場總量約45%,KrF約占總量24%。2016年我國半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模為19.55億元,預(yù)計2017和2018年光刻膠市場規(guī)模將達(dá)到19.76億元和23.15億元。

全球半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模(億美元)

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2016年半導(dǎo)體光刻膠以ArF/ArF浸沒式為主

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    三、靶材

    濺射是指利用離子源產(chǎn)生的離子,在高真空腔體中通過加速聚集,形成高速度的離子流轟擊固體表面。離子和固體表面原子發(fā)生動能交換,固體表面的的原子離開固體并沉積在基底表面,被轟擊的固體即為濺射用靶材。

    在晶圓制造材料中,濺射靶材約占芯片制造材料市場的2.6%。在封裝測試材料中,濺射靶材約占封裝測試材料市場的2.7%。2016年中國半導(dǎo)體用濺射靶材市場規(guī)模約為14億元,同比增長20.69%。

全球半導(dǎo)體用濺射靶材規(guī)模(億元)

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我國半導(dǎo)體芯片濺射靶材市場規(guī)模(億元)

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    四、CMP拋光材料

    CMP材料替代空間較大,但國內(nèi)企業(yè)僅能從200nm拋光墊入手。2016年國內(nèi)CMP材料市場需求規(guī)模達(dá)23億元,到2018年有望達(dá)到28億元。但由于國內(nèi)目前除陶氏(中國)外均不具備300nm晶圓拋光墊專利權(quán),僅能從無需授權(quán)的200nm拋光墊入手,占據(jù)部分低端市場。

全球CMP材料市場需求規(guī)模(億美元)

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國內(nèi)CMP材料市場需求規(guī)模(億元)

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    五、特種氣體

    2016年全球半導(dǎo)體特種氣體市場規(guī)模約34億美元,中國半導(dǎo)體特種氣體市場規(guī)模約50億元,目前國內(nèi)企業(yè)電子特氣市占率僅20%,按照集成電路產(chǎn)業(yè)“十三五”發(fā)展規(guī)劃目標(biāo),2020年電子特氣國產(chǎn)化率達(dá)到50%以上。

全球特種氣體市場規(guī)模(億美元)

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中國特種氣體市場規(guī)模(億元)

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本文采編:CY306
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精品報告智研咨詢 - 精品報告
2025-2031年中國通用集成電路行業(yè)市場動態(tài)分析及前景戰(zhàn)略研判報告
2025-2031年中國通用集成電路行業(yè)市場動態(tài)分析及前景戰(zhàn)略研判報告

《2025-2031年中國通用集成電路行業(yè)市場動態(tài)分析及前景戰(zhàn)略研判報告》共六章,包含通用集成電路行業(yè)企業(yè)分析,2025-2031年中國通用集成電路行業(yè)發(fā)展前景預(yù)測分析,2025-2031年中國通用集成電路行業(yè)投融資戰(zhàn)略規(guī)劃分析等內(nèi)容。

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